SAMSUNG DISCO DURO SSD 990 EVO 1TB NVME

Samsung 990 EVO, 1 TB, M.2, 5000 MB/s
DESTACADO

1 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocidad de lectura: 5000 MB/s
Velocidad de escritura: 4200 MB/s
V-NAND TLC NVMe 2.0
Encriptación de hardware 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
Componente para: Universal
Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal
PESO Y DIMENSIONES
Altura
2,38 mm
Ancho
80,2 mm
Peso
9 g
Profundidad
22,1 mm
CONDICIONES AMBIENTALES
Golpe (fuera de operación)
1500 G
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento
5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje
5 - 95%
Vibración no operativa
20 G
CONTROL DE ENERGÍA
Consumo de energía (lectura)
4,9 W
Consumo de energía (escritura)
4,5 W
Consumo energético (en suspensión)
0,005 W
Consumo de energía (espera)
0,06 W
Voltaje de operación
3,3 V
EMPAQUETADO
Tipo de embalaje
Caja
CARACTERÍSTICAS
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Revisión PCI Express CEM
4.0
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Componente para
Universal
Encriptación de hardware
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Interfaz
PCI Express 4.0
NVMe
Si
Versión NVMe
2.0
Soporte S.M.A.R.T.
Si
SDD, capacidad
1 TB
Soporte TRIM
Si
calificación TBW
600
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Velocidad de lectura
5000 MB/s
Velocidad de escritura
4200 MB/s